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（調(diào)查報(bào)告公司出品方/策略師：國海證券鄭震湘佘凌星 陳永亮）
1.1 耕耘輸出功率積體電路，IDM&程序語言博戈達(dá)
PSBD 晶片、PMBD 晶片已逐步形成完備的民用系列商品和車規(guī)系列商品，并穩(wěn)步減少新技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)。當(dāng)中，電動汽車引擎高效率 PMBD 整流器晶片已在數(shù)家斯堪尼亞試驗(yàn)中；FRED 整流器晶片已同時(shí)實(shí)現(xiàn) 200V-600V 多系列商品批量生產(chǎn)，并漸漸向 1200V 及更高電流系列商品擴(kuò)充。
緊隨納米技術(shù)態(tài)勢，產(chǎn)業(yè)布局第二代積體電路。
1.2 股份分散，雇員鞭策廣為實(shí)行
創(chuàng)業(yè)團(tuán)隊(duì)砥礪前行，股份鞭策到位。
1.3 業(yè)績高增，把握高增長及代替發(fā)展機(jī)遇
收入及凈利穩(wěn)步高增，受惠于下游高增長及代替發(fā)展機(jī)遇。
新商品放量提升，進(jìn)入高增長高增長時(shí)期。
總體毛利率穩(wěn)中有升，積體電路硅片毛利率提升顯著。
精細(xì)化運(yùn)營提升管理效率，有效降低期間費(fèi)用率。
輸出功率積體電路下游應(yīng)用十分廣為，電動汽車及工控為前兩大應(yīng)用領(lǐng)域。
輸出功率積體電路幾乎應(yīng)用于包括計(jì)算機(jī)領(lǐng)域、網(wǎng)絡(luò)通信、消費(fèi)類電子、工業(yè)控制等傳統(tǒng)電子產(chǎn)業(yè)及新能源電動汽車、光伏發(fā)電等等各類電子制造業(yè)。
根據(jù) Yole 統(tǒng)計(jì)，2019年電動汽車及工業(yè)領(lǐng)域?yàn)榍皟纱髴?yīng)用領(lǐng)域，各占據(jù)29%的份額，其次為通訊、計(jì)算機(jī)等。
中長期來看，新能源電動汽車、工業(yè)自動化、可再生能源設(shè)施建設(shè)及新興消費(fèi)電子等領(lǐng)域?qū)⒎€(wěn)步驅(qū)動行業(yè)增長。
高端二極管國產(chǎn)代替仍有較大空間，TNUMBERA46二極管于國內(nèi)居領(lǐng)跑地位。小家電用二極管
當(dāng)前國產(chǎn)商品中，中大型民營企業(yè)占據(jù)50%份額，分散度較高。
TNUMBERA46擁有從晶片制造到封裝測試全套生產(chǎn)工藝，為國內(nèi)少數(shù)生產(chǎn)、制造全系列商品二極管、整流器橋、分立器件晶片的規(guī)模民營企業(yè)之一。
2.1 MOSFET：需求端全面爆發(fā)，供給端產(chǎn)能吃緊
輸出功率 MOSFET 為現(xiàn)代電源開關(guān)器件的優(yōu)先選擇，適用高頻低輸出功率場景。
輸出功率 MOSFET 以其工作頻率較高、低開關(guān)損耗、低驅(qū)動損耗、高擊穿電流、高電流等特點(diǎn)，廣為應(yīng)用于如 AC-DC、DC-DC 轉(zhuǎn)換器等開關(guān)穩(wěn)壓器及電機(jī)控制器，而由于輸出功率 MOSFET 是多子器件，導(dǎo)通損耗比較大，導(dǎo)通時(shí)器件壓降較大，不適用于大輸出功率裝置。
MOSFET 應(yīng)用場景涵蓋消費(fèi)電子、計(jì)算機(jī)及外設(shè)設(shè)備、通信設(shè)備、電動汽車電子、工業(yè)電子設(shè)備等多領(lǐng)域。
依據(jù)耐壓性能，MOSFET 可分為中低壓和高壓。
由于 MOSFET 應(yīng)用環(huán)境多樣且復(fù)雜，性能及參數(shù)以環(huán)境而定，故種類和型號多樣，通?？梢愿鶕?jù)其耐壓性能分為中低壓 MOSFET（通常為<200V）和高壓 MOSFET（通常為>600V），當(dāng)中低壓應(yīng)用場景包含便攜式消費(fèi)電子、DC-DC 轉(zhuǎn)換器、顯示、照明、適配器、通訊電源（高頻）、嵌入式系統(tǒng)及工業(yè)領(lǐng)域等，高壓 MOS 應(yīng)用場景包含高壓開關(guān)電源、AC 適配器、電動汽車充電器、家電、基站、高壓逆變器、電子鎮(zhèn)流器等。小家電用二極管
電動汽車電子、消費(fèi)電子和工業(yè)電子為 MOSFET 最大的下游應(yīng)用領(lǐng)域。
他們認(rèn)為新能源電動汽車、工業(yè) 4.0 智能裝備建設(shè)以及 5G 基建同樣帶來高壓 MOSFET 的高增長發(fā)展機(jī)遇。
輸出功率器件對制程要求不高，主要在8寸及6寸產(chǎn)線生產(chǎn)。
在摩爾定律驅(qū)動下，晶片晶圓尺寸由6寸→8寸→12寸演變。晶圓面積越大，所能生產(chǎn)的晶片就越多，可大幅降低成本。
但相比于12寸晶圓，8英寸固定成本低、達(dá)到成本效益生產(chǎn)量要求較低、技術(shù)成熟等特點(diǎn)被應(yīng)用于輸出功率器件、MEMS、電源管理晶片等特色工藝晶片的制作，與12寸逐步形成互補(bǔ)。
8寸晶圓設(shè)備停產(chǎn)，限制產(chǎn)能釋放。
8寸晶圓廠始建于1990年， 2007年全球8寸晶圓代工廠數(shù)量達(dá)到頂峰201座，隨后12寸晶圓漸漸成熟，存儲，邏輯代工等產(chǎn)能紛紛遷移至12寸晶圓。
8寸晶圓代工廠由于運(yùn)行時(shí)間過長，設(shè)備老舊，同時(shí)12寸晶圓廠資本支出規(guī)模巨大，部分廠商漸漸關(guān)閉8寸晶圓廠，設(shè)備廠商也停止生產(chǎn)8寸設(shè)備。
新增產(chǎn)能以 12 寸為主，8 寸晶圓代工廠產(chǎn)能近年無明顯擴(kuò)張。
據(jù) SEMI 數(shù)據(jù)，全球積體電路制造商在 2021~2022 年將新建 29 座工廠（全部投產(chǎn)后，新增月產(chǎn)能 260 萬等效 8 寸片），當(dāng)中 2021 年開建 19 座，2022 年再建 10 座。
據(jù) SIA 預(yù)測，2020~2024，全球 8 寸晶圓產(chǎn)能增長僅 17%。
據(jù) DIGITIMES 數(shù)據(jù)，2018~2021 年全球前十大晶圓代工廠 8 寸晶圓代工產(chǎn)能 CAGR 平均僅 4.2%。
2.2 IGBT：為新能源電動汽車的核心，受惠電動化態(tài)勢
IGBT 為新能源電動汽車核心，是最有提升空間的部分。
新能源電動汽車包含三大系統(tǒng)：電源、電機(jī)、電控。電源幾乎占據(jù)整車成本的 50%，但受限于鋰電池技術(shù)條件，提升空間不大。
目前在新能源電動汽車中，最有提升空間的當(dāng)屬電機(jī)驅(qū)動部分，電機(jī)的技術(shù)水平直接影響整車的性能和成本，而電機(jī)驅(qū)動部分最核心的元件為 IGBT。IGBT 主要應(yīng)用在逆變器中，成本約占整個(gè)電機(jī)驅(qū)動系統(tǒng)成本的一半，作用是將高壓電池的直流電轉(zhuǎn)換為驅(qū)動三相電機(jī)的交流電。
此外 IGBT 在電動汽車充電樁、車載電控等也有至關(guān)重要的作用，在車載空調(diào)控制系統(tǒng)、小輸出功率直流/交流(DC/AC)逆變，也有使用小輸出功率的 IGBT。
從成本端看，IGBT 模塊單車價(jià)值量高。
電控系統(tǒng)在整車成本中占比第二，而作為電控的核心部件，IGBT 占據(jù)整個(gè)電控系統(tǒng)成本約 37%，如果加上充電系統(tǒng)中所用到的 IGBT（占充電柱成本約 20%），其成本占比將會更高。在特斯拉的雙電機(jī)全驅(qū)動版車型 Model X中，使用了 132 個(gè) IGBT 管，當(dāng)中前電機(jī)有 36 個(gè)，后電機(jī)有 96 個(gè)，價(jià)值大約 在 650 美元。小家電用二極管
工業(yè)控制、白色家電、動車等領(lǐng)域，IGBT 同樣具備潛力。
工控領(lǐng)域大量使用交直流電動機(jī)，例如數(shù)控機(jī)床的伺服電機(jī)、軋鋼機(jī)和礦山牽引、大型鼓風(fēng)機(jī)等都采用電力電子變頻調(diào)速技術(shù)。當(dāng)中 IGBT 在變頻器中擔(dān)任輸出驅(qū)動。
光伏等新能源領(lǐng)域迅速發(fā)展同樣具備推動力。
近年來以風(fēng)能、太陽能等為代表者的新能源產(chǎn)業(yè)發(fā)展迅速，風(fēng)力發(fā)電、光伏發(fā)電中的整流器器和逆變器都須要使用 IGBT 模塊，而且 IGBT 模塊是逆變器的核心電子元器件，因此，未來新能源領(lǐng)域的快速發(fā)展將會助推 IGBT 需求。
IGBT 模塊還被廣為應(yīng)用于軌交等領(lǐng)域。
動車組最核心的部件之一是牽引變流器，它負(fù)責(zé)將超高電流轉(zhuǎn)化為列車的動力，以 CRH3 為例，每輛列車裝有 4 臺牽引變流器，每臺搭載了 32 個(gè) IGBT 模塊，則每輛列車搭載的 IGBT 模塊共計(jì) 128 個(gè)，這些 IGBT 模塊合計(jì)為整個(gè)列車提供了約 10 兆瓦的輸出功率。小家電用二極管
2.3 海外供應(yīng)商領(lǐng)跑，國產(chǎn)代替空間廣闊
英飛凌、富機(jī)電子和安森美等廠家在 1700V 以下的中低電流 IGBT 領(lǐng)域處于領(lǐng)導(dǎo)地位，三菱則主宰了 2500V 以上的高電流 IGBT 領(lǐng)域。
4.1 研發(fā)投入加大，輸出功率器件品類穩(wěn)步豐富
IGBT、MOSFET 產(chǎn)業(yè)布局趨于完善，研發(fā)廣度和深度提升。
4.2 IDM 模式強(qiáng)化交付，產(chǎn)能穩(wěn)步擴(kuò)充
他們梳理全球前五大電動汽車晶片廠2021年四季度業(yè)績說明會，2022年電動汽車及工業(yè)晶片仍將穩(wěn)步供不應(yīng)求，供應(yīng)鏈、庫存、交期等一系列商品問題穩(wěn)步存在，五大廠商指引 2022Q1 收入環(huán)比僅有一家下滑，表明行業(yè)仍然十分強(qiáng)勁。
（3）意法積體電路同樣表示 2022 年電動汽車的標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)能（MOSFET、IGBT、MCU）已訂滿，且渠道沒有庫存積累，同時(shí)上游基板、引線框欠缺影響。緊張局勢有望在 2022 年底前逐步改善。小家電用二極管
（4）恩智浦下游電動汽車、工業(yè)等領(lǐng)域在未來4~5個(gè)季度仍然相當(dāng)緊缺。渠道庫存下降到1.5個(gè)月，穩(wěn)步低于預(yù)期的 2.4~2.5 個(gè)月，2022年年內(nèi)無法解決該失衡問題。
4.3 直銷為主深度合作，雙品牌共同發(fā)力
直銷為主重視銷售投入，大客戶營銷顯成效。
耕耘輸出功率積體電路，IDM&程序語言博戈達(dá)。
MOSFET、IGBT 賽道高高增長加持國產(chǎn)代替發(fā)展機(jī)遇，帶來新增量。輸出功率 MOSFET 為現(xiàn)代電源開關(guān)器件的優(yōu)先選擇，適用高頻低輸出功率場景。小家電用二極管
商品開發(fā)不及預(yù)期風(fēng)險(xiǎn)：
產(chǎn)能擴(kuò)充不及預(yù)期風(fēng)險(xiǎn)：
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